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          寧德市2020年第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線技術(shù)論壇

          2020年第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線技術(shù)論壇

          5月20日下午14:00 ---16:00

          主辦:

          中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2020)

          協(xié)辦:

          上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)

          《中國(guó)電子商情》雜志社

          演講題目:“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半導(dǎo)體的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

          演講嘉賓:上海瞻芯電子科技有限公司創(chuàng)始人兼總經(jīng)理,張永熙博士

          演講摘要

          以GaN和SiC為代表的寬禁帶(暨第三代)半導(dǎo)體材料開始在射頻和功率領(lǐng)域挑戰(zhàn)Si材料的統(tǒng)治地位;“更快、更酷、更強(qiáng)悍”已經(jīng)成為第三代半導(dǎo)體器件走向市場(chǎng)所展現(xiàn)出的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),本次講座將從材料、工藝、器件、應(yīng)用幾個(gè)方面,著重介紹GaN和SiC在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域所存在的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

          張永熙博士于2017年7月創(chuàng)辦了上海瞻芯電子科技有限公司,專注于碳化硅功率器件芯片和驅(qū)動(dòng)芯片的產(chǎn)業(yè)化。張博士2000年從復(fù)旦大學(xué)碩士畢業(yè)后,加入上海貝嶺,歷任工藝工程師、注入工程部經(jīng)理和4英寸產(chǎn)線的廠長(zhǎng)。而后,從2003年到2008年于新澤西州立大學(xué)(Rutgers University)獲得博士學(xué)位,研發(fā)了世界上第一款碳化硅功率集成電路。2008年到2017年就職于美國(guó)德州儀器(TI)模擬技術(shù)研發(fā)部,擔(dān)任功率器件和工藝集成工程師,于2016年年底入選高級(jí)主任工程師Senior Member Technical Staff(SMTS,占工程師總數(shù)比例6%)。專長(zhǎng)LDMOS和VDMOS等核心功率器件設(shè)計(jì)和工藝集成,先后量產(chǎn)了多代BCD工藝技術(shù)。發(fā)表論文18篇,獲得美國(guó)發(fā)明專利16項(xiàng)、中國(guó)發(fā)明專利4項(xiàng)。

          演講題目:安森美半導(dǎo)體SiC方案應(yīng)用于太陽能逆變器電源及電動(dòng)汽車充電樁等

          演講嘉賓:安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部工程師 袁光明

          演講摘要

          現(xiàn)代可再生能源、電動(dòng)/混動(dòng)汽車、服務(wù)器和工業(yè)電源等高要求的應(yīng)用提出了具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標(biāo),碳化硅(SiC) 方案提供超越硅方案的性能優(yōu)勢(shì),安森美半導(dǎo)體提供獨(dú)一無二的SiC生態(tài)系統(tǒng),包括SiC二極管、SiC MOSFET、SiC驅(qū)動(dòng)器及集成模塊,乃至廣泛的資源和工具,簡(jiǎn)化和加速設(shè)計(jì)流程,如SPICE模型,幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能而無需昂貴的測(cè)量周期。本次研討會(huì)將介紹安森美半導(dǎo)體的SiC 生態(tài)系統(tǒng)及顛覆性的SPICE建模,以及SiC用于太陽能及可再生能源、電動(dòng)/混動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器和工業(yè)應(yīng)用的方案。

          袁光明(Jerry Yuan)先生是安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部的工程師,畢業(yè)于華南理工大學(xué)并獲得碩士學(xué)位。袁先生畢業(yè)后一直在半導(dǎo)體行業(yè)工作,擁有超過13年成功的產(chǎn)品開發(fā)及技術(shù)支持經(jīng)驗(yàn)。

          2020年第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線技術(shù)論壇


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